Пластины арсенида галлия GaAs и материалов А₃В₅. Изготовление и рециклинг.

Мы изготавливаем пластины арсенида галлия GaAs и других полупроводниковых материалов группы A3B5 по технологии epi-ready с использованием технологии и химических составов корпорации Fujimi (Япония), а также оказывает услуги по восстановлению (реставрации, рециклинг) бывших в использовании пластин.

ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛАСТИН АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ GaAs

• Производство дискретных приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона,
• дискретных и матричных фотоприемников,
• светодиодов, фотокатодов,
• преобразователей солнечной энергии,
• детекторов ионизирующих излучений,
• оптических изделий для ввода-вывода,
• фокусировки и модуляции ИК-излучения и др.

 

 

Характеристики пластин арсенида галлия GaAs:

Метод выращивания	Чохральского (LEC) и вертикальной направленной кристаллизации (VGF)
Диаметр, мм	50,8+/-0,3 и 76,2+/-0,3
Удельное сопротивление, ом*см	> 1*107
Подвижность, cm2/VS	≥ 4500
Плотность дислокаций, см-2	≤ 1*105
Тип проводимости	N - тип, P – тип
Легирующая примесь	по заказу
Тип материала	полуизолирующий/полупроводящий
Кристаллографическая ориентация   .	(100), (111), (110), (211), (310), по заказу
Разориентация	от 2° до 10°
Толщина	по заказу
Ориентация срезов	По стандартам SEMI или EJ, либо по спецификации заказчика
Обработка лицевой стороны	полированная, подготовленная под эпитаксию
Обработка обратной стороны	по заказу
TTV, мкм	< 7
Bow, мкм	< 10
Упаковка	индивидуальный контейнер или в стандартные контейнеры по 25 пластин. Все контейнеры упаковываются в чистом помещении класса не хуже ISO 5 и помещаются в вакуумный пакет и пакет с инертной средой, обеспечивающий защиту от влаги и вредных газов, содержащихся в атмосфере.
Ориентировочная стоимость пластин GaAs	50,8 мм - 110...130 у.е.,   76,2 мм - 190...210 у.е.

 

 Пластины GaAs в большинстве случаев изготавливаются и поставляются под заказ согласно спецификации заказчика. Минимальный заказ от 48 штук. (48 штук оптимальное количество партии пластин при изготовлении из одного монокристалла.) Возможно также  нанесение лазерной маркировки на поверхность пластины.

Срок годности пластин неограничен при условии хранения в инертной среде. Пластины рекомендуется хранить  в специальных шкафах, наполненных азотом и при пониженной влажности воздуха. Транспортировка пластин осуществляется согласно правилам перевозки хрупких грузов.

 

Рециклинг пластин арсенида галлия GaAs

При проведении процессов эпитаксии, фотолитографии, металлизации и др. возможен ряд разновидностей брака  изготовления полупроводниковых приборов.   После

отбраковывания и изымания из технологического процесса пластин. После восстановления пластин GaAs на собственном технологическом участке, возможно повторное их использование. 

В рамках технологического процесса пластины сортируются по видам дефектов, глубине нарушений, толщине пластин. Затем бракованные пластины арсенида галлия проходят очистку и химическую обработку поверхности. В дальнейшем происходит удаление нарушенных слоёв химико-механической полировкой производится предэпитаксиальная обработка поверхности и пластины упаковываются в индивидуальные контейнеры в среде инертного газа.После этого пластины могут повторно использоваться в процессах эпитаксиального наращивания. После этого пластины могут повторно использоваться в процессах эпитаксиального наращивания.

Если количество восстановленных пластин недостаточно, может быть дополнительно изготовлено недостающее количество пластин с соответствующими характеристиками.

 

Возможно нанесение лазерной маркировки на поверхность пластины.

 

 

 

• Назад
• Вперёд